￥ 0.194

PMDT670UPE 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

SOT-666

描述:

NXP PMDT670UPE 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -550 mA, -20 V, 0.67 ohm, -4.5 V, -800 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PMDT670UPE 数据手册 (16 页)

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PMDT670UPE 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-666

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.67 Ω

极性

Dual P-Channel

功耗

500 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

PMDT670UPE 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

工作温度

-55℃ ~ 150℃

PMDT670UPE 符合标准

PMDT670UPE 数据手册

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NXP（恩智浦）

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