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PMDXB600UNEZ 数据手册 - Nexperia（安世）

制造商:

Nexperia（安世）

分类:

晶体管

封装:

DFN1010B-6

描述:

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 600 mA, 20 V, 0.47 ohm, 4.5 V, 700 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PMDXB600UNEZ 数据手册 (16 页)

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封装尺寸在11 页

PMDXB600UNEZ 数据手册 (16 页)

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PMDXB600UNEZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

DFN1010B-6

通道数

2 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.47 Ω

功耗

380 mW

阈值电压

450 mV, 450 mV

输入电容

21.3 pF

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

±20 V

上升时间

9.2 ns

输入电容值(Ciss)

21.3pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

265 mW

下降时间

51 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

380 mW

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PMDXB600UNEZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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PMDXB600UNEZ 符合标准

PMDXB600UNEZ 数据手册

Nexperia（安世）

16 页 / 0.35 MByte

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