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PMGD280UN 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

SOT-363

描述:

双N沟道mTrenchMOS超低水平FET Dual N-channel mTrenchMOS ultra low level FET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PMGD280UN 数据手册 (12 页)

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PMGD280UN 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOT-363

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

0.87A

PMGD280UN 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

PMGD280UN 符合标准

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