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PMV30UN2R
0.046
PMV30UN2R 数据手册 (16 页)
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PMV30UN2R 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
功耗
1 W
输入电容
655 pF
漏源极电压(Vds)
20 V
上升时间
26 ns
输入电容值(Ciss)
655pF @10V(Vds)
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
490mW (Ta), 5W (Tc)

PMV30UN2R 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

PMV30UN2R 数据手册

Nexperia(安世)
16 页 / 0.37 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte

PMV30UN2 数据手册

NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
Nexperia(安世)
N沟道 VDS=20V VGS=900MV ID=4.2A P=490mW
NXP(恩智浦)
NXP  PMV30UN,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 700 mV
NXP(恩智浦)
N-沟道 20 V 5.4 A 32 mΩ 表面贴装 Trench Mosfet - SOT-23
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 700 mV
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
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