￥ 0.092

PMV30UN2R 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

N-沟道 20 V 5.4 A 32 mΩ 表面贴装 Trench Mosfet - SOT-23

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PMV30UN2R 数据手册 (16 页)

引脚图在3 页Hot

封装尺寸在11 页

PMV30UN2R 数据手册 (16 页)

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PMV30UN2R 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOT-23-3

极性

N-CH

功耗

490mW (Ta), 5W (Tc)

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

5.4A

上升时间

26 ns

输入电容值(Ciss)

655pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

490 mW

下降时间

10 ns

耗散功率(Max)

490mW (Ta), 5W (Tc)

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PMV30UN2R 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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PMV30UN2R 符合标准

PMV30UN2R 数据手册

NXP（恩智浦）

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