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PMV40UN2R
0.054
PMV40UN2R 数据手册 (17 页)
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PMV40UN2R 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
36 mΩ
功耗
1 W
阈值电压
400 mV
输入电容
635 pF
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
上升时间
23 ns
输入电容值(Ciss)
635pF @15V(Vds)
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
490mW (Ta)

PMV40UN2R 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

PMV40UN2R 数据手册

Nexperia(安世)
17 页 / 0.37 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte

PMV40UN2 数据手册

NXP(恩智浦)
NXP  PMV40UN2  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 30 V, 0.036 ohm, 4.5 V, 650 mV
Nexperia(安世)
Nexperia(安世)
PMV40UN2R 编带
NXP(恩智浦)
PMV40UN2 系列 30 V 44 mOhm 3.7 A 通孔 N-沟道 Trench MOSFET-TO-236AB
NXP(恩智浦)
NXP  PMV40UN,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 0.04 ohm, 4.5 V, 700 mV
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