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PMV45EN2R 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

PMV45EN2 系列 30 V 42 mOhm 表面贴装 N-沟道 Trench MOSFET - TO-236AB

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PMV45EN2R 数据手册 (15 页)

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PMV45EN2R 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

极性

N-CH

功耗

510mW (Ta), 5W (Tc)

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

5.1A

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

209pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

510 mW

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

510mW (Ta), 5W (Tc)

PMV45EN2R 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

PMV45EN2R 符合标准

PMV45EN2R 数据手册

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