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PSMN1R5-30BLE
2.182
PSMN1R5-30BLE 数据手册 (9 页)
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PSMN1R5-30BLE 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-263
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0013 Ω
极性
N-Channel
功耗
401 W
阈值电压
1.7 V
漏源极电压(Vds)
30 V
工作温度(Max)
175 ℃

PSMN1R5-30BLE 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

PSMN1R5-30BLE 数据手册

NXP(恩智浦)
9 页 / 0.15 MByte

PSMN1R530 数据手册

Nexperia(安世)
N-沟道 30 V 1.55 mOhm 65 nC 表面贴装 逻辑电平 Mosfet - LFPAK
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.7 V
Nexperia(安世)
1.5mΩ/30V,MOS 管
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.7 V
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP  PSMN1R5-30BLE  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.7 V
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP  PSMN1R5-30YL  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 1.3 mohm, 10 V, 1.7 V
NXP(恩智浦)
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R5-30YLC,115, 100 A, Vds=30 V, 4引脚 LFPAK封装
NXP(恩智浦)
N 通道 MOSFET,超过 100A,NXP semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
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