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Datasheet 搜索 > MOS管 > Nexperia(安世) > PSMN1R5-30YLC,115 Datasheet 文档
PSMN1R5-30YLC,115
0.303
PSMN1R5-30YLC,115 数据手册 (16 页)
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PSMN1R5-30YLC,115 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-669
功耗
179 W
输入电容
4044 pF
漏源极电压(Vds)
30 V
上升时间
62 ns
输入电容值(Ciss)
4044pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
179 W
下降时间
38 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
179W (Tc)

PSMN1R5-30YLC,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4.1 mm
高度
1.05 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

PSMN1R5-30YLC,115 数据手册

Nexperia(安世)
16 页 / 0.45 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte

PSMN1R530 数据手册

Nexperia(安世)
N-沟道 30 V 1.55 mOhm 65 nC 表面贴装 逻辑电平 Mosfet - LFPAK
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.7 V
Nexperia(安世)
1.5mΩ/30V,MOS 管
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.7 V
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP  PSMN1R5-30BLE  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 30 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.7 V
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
NXP  PSMN1R5-30YL  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 1.3 mohm, 10 V, 1.7 V
NXP(恩智浦)
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R5-30YLC,115, 100 A, Vds=30 V, 4引脚 LFPAK封装
NXP(恩智浦)
N 通道 MOSFET,超过 100A,NXP semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
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