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PZT2907AT3G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-261-4

描述:

ON SEMICONDUCTOR PZT2907AT3G 单晶体管双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 50 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PZT2907AT3G 数据手册 (6 页)

封装尺寸在4 页

PZT2907AT3G 数据手册 (6 页)

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PZT2907AT3G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

200 MHz

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-600 mA

封装

TO-261-4

针脚数

4 Position

极性

PNP

功耗

1.5 W

击穿电压(集电极-发射极)

60 V

集电极最大允许电流

0.6A

最小电流放大倍数

100 @150mA, 10V

额定功率(Max)

1.5 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

1.5 W

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PZT2907AT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6.7 mm

宽度

3.7 mm

高度

1.65 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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PZT2907AT3G 符合标准

PZT2907AT3G 海关信息

PZT2907AT3G 概述

PZT2907AT3G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.16 MByte

PZT2907AT3G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

36 页 / 0.15 MByte

PZT2907AT3G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.06 MByte

PZT2907AT3G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.1 MByte

PZT2907AT3G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.53 MByte

PZT2907AT3 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

PNP硅外延晶体管 PNP Silicon Epitaxial Transistor

NXP（恩智浦）

Motorola（摩托罗拉）

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