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PZT651T1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-261-4

描述:

ON SEMICONDUCTOR PZT651T1G 单晶体管双极, NPN, 60 V, 75 MHz, 800 mW, 2 A, 75 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PZT651T1G 数据手册 (2 页)

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PZT651T1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

75 MHz

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

2 A

封装

TO-261-4

针脚数

4 Position

极性

NPN

功耗

800 mW

增益频宽积

75 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

60 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

75 @1A, 2V

额定功率(Max)

800 mW

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

800 mW

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PZT651T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

6.7 mm

宽度

3.7 mm

高度

1.65 mm

重量

0.004535924 kg

工作温度

150℃ (TJ)

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PZT651T1G 符合标准

PZT651T1G 海关信息

PZT651T1G 概述

PZT651T1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.19 MByte

PZT651T1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.16 MByte

PZT651T1G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.06 MByte

PZT651T1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.09 MByte

PZT651T1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.53 MByte

PZT651T1G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.13 MByte

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