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PZT751T1G
0.132
PZT751T1G 数据手册 (6 页)
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PZT751T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
75 MHz
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
2.00 A
封装
TO-261-4
针脚数
4 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
800 mW
增益频宽积
75 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
最小电流放大倍数
75 @1A, 2V
额定功率(Max)
800 mW
直流电流增益(hFE)
75
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
800 mW

PZT751T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.57 mm
工作温度
150℃ (TJ)

PZT751T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.53 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

PZT751T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
PNP硅平面外延型晶体管 PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor
Motorola(摩托罗拉)
NXP(恩智浦)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  PZT751T1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 75 MHz, 800 mW, -2 A, 40 hFE
ON Semiconductor(安森美)
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