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PZTA42T1
0.09
PZTA42T1 数据手册 (4 页)
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PZTA42T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
300 V
额定电流
500 mA
封装
TO-261-4
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
300 V
集电极最大允许电流
0.05A
最小电流放大倍数
40 @30mA, 10V
额定功率(Max)
1.5 W

PZTA42T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
150℃ (TJ)

PZTA42T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
36 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.07 MByte

PZTA42 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  PZTA42  单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 50 MHz, 1 W, 200 mA, 40 hFE
ON Semiconductor(安森美)
PZTA42系列 300 V CE击穿 0.5 A NPN 通用 放大器 - SOT-223
NXP(恩智浦)
NXP  PZTA42  单晶体管 双极, NPN, 300 V, 1.2 W, 100 mA, 40 hFE
CJ(长电科技)
PZTA42 编带
Infineon(英飞凌)
NPN硅高压晶体管低集电极 - 发射极饱和电压 NPN Silicon High-Voltage Transistors Low collector-emitter saturation voltage
Siemens Semiconductor(西门子)
PZTA42 NPN三极管 300V 500mA/0.5A 50MHz 40 500mV/0.5V SOT-223/SC-73 marking/标记 ZTA42 高压放大器
Nexperia(安世)
UTC(友顺)
高压晶体管
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
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