器件3D模型

￥ 0.087

QED123A4R0 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

T-1

描述:

QED123: AlGaAs红外线发光二极管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

QED123A4R0 数据手册 (5 页)

封装尺寸在1 页

原理图在1 页

QED123A4R0 数据手册 (5 页)

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QED123A4R0 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

2 Pin

封装

T-1

正向电压

1.7V (Max)

波长

890 nm

视角

16°

峰值波长

890 nm

功耗

200 mW

测试电流

20 mA

正向电流

100 mA

正向电压(Max)

1.7 V

正向电流(Max)

100 mA

工作温度(Max)

100 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

200 mW

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QED123A4R0 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 100℃ (TA)

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QED123A4R0 符合标准

QED123A4R0 海关信息

QED123A4R0 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.17 MByte

QED123A4R0 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.28 MByte

QED123A4R0 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.05 MByte

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