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QED123A4R0
器件3D模型
0.16
QED123A4R0 数据手册 (5 页)
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QED123A4R0 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
电源电压
1.70 V
工作电压
1.70 V
封装
T-1
额定功率
200 mW
正向电压
1.7V (Max)
波长
880 nm
视角
16°
峰值波长
890 nm
功耗
200 W
测试电流
20 mA
正向电流
100 mA
正向电流(Max)
100 mA
工作温度(Max)
100 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
200 mW

QED123A4R0 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.1 mm
宽度
6.1 mm
高度
8.77 mm
工作温度
-40℃ ~ 100℃ (TA)

QED123A4R0 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.17 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.26 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.4 MByte

QED123A4 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
880 nm 18° 发光角度 透明 浅桃红 AlGaAs 红外发光二极管
ON Semiconductor(安森美)
QED123: AlGaAs红外线发光二极管
QT Optoelectronics
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