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Datasheet 搜索 > MOS管 > ROHM Semiconductor(罗姆半导体) > QS5U12 Datasheet 文档
QS5U12
0.103

QS5U12 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-153
漏源极电阻
0.11 Ω
极性
N+SBD
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
2A

QS5U12 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
3000

QS5U12 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
5 页 / 0.08 MByte
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