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QS5U12TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-5

描述:

场效应管, MOSFET, N, VGS -2.5V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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QS5U12TR 数据手册 (6 页)

封装尺寸在1 页

QS5U12TR 数据手册 (6 页)

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QS5U12TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

5 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

2.00 A

封装

TSOT-23-5

通道数

1 Channel

漏源极电阻

0.11 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.25 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

连续漏极电流(Ids)

2.00 A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

175pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

900 mW

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.25W (Ta)

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QS5U12TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.6 mm

高度

0.85 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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QS5U12TR 符合标准

QS5U12TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

6 页 / 0.06 MByte

QS5U12TR 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

14 页 / 1.17 MByte

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