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QS6J11TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

双P沟道-12V -2.0A功率MOSFET Dual Pch -12V -2.0A Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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QS6J11TR 数据手册 (12 页)

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QS6J11TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

通道数

2 Channel

漏源极电阻

75 mΩ

极性

P-CH

功耗

1.25 W

漏源极电压(Vds)

12 V

漏源击穿电压

12 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

17 ns

输入电容值(Ciss)

770pF @6V(Vds)

额定功率(Max)

600 mW

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

600 mW

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QS6J11TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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QS6J11TR 符合标准

QS6J11TR 海关信息

QS6J11TR 概述

QS6J11TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

12 页 / 0.58 MByte

QS6J11TR 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

14 页 / 1.97 MByte

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双P沟道-12V -2.0A功率MOSFET Dual Pch -12V -2.0A Power MOSFET

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