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R6004CNDTL
1.119
R6004CNDTL 数据手册 (15 页)
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R6004CNDTL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
漏源极电阻
1.8 Ω
功耗
40W (Tc)
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
上升时间
28 ns
输入电容值(Ciss)
280pF @25V(Vds)
下降时间
39 ns
耗散功率(Max)
40W (Tc)

R6004CNDTL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

R6004CNDTL 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
15 页 / 3.26 MByte

R6004 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6004ENDTL  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6004ENX  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6004ENJTL  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 5 V
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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