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R6004END3TL1 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

封装:

TO-252

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

R6004END3TL1 数据手册

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R6004END3TL1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-252

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.9 Ω

功耗

59 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

22 ns

输入电容值(Ciss)

250pF @25V(Vds)

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

59000 mW

R6004END3TL1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

R6004END3TL1 符合标准

R6004END3TL1 概述

R6004END3TL1 数据手册

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V

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