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Datasheet 搜索 > 中高压MOS管 > ROHM Semiconductor(罗姆半导体) > R6004ENDTL Datasheet 文档
R6004ENDTL
2.551

R6004ENDTL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.9 Ω
极性
N-Channel
功耗
58 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
上升时间
22 ns
输入电容值(Ciss)
250pF @25V(Vds)
下降时间
40 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
20W (Tc)

R6004ENDTL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.7 mm
宽度
5.8 mm
高度
2.5 mm
工作温度
150℃ (TJ)

R6004ENDTL 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
14 页 / 2.27 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
13 页 / 0.72 MByte

R6004 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6004ENDTL  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6004ENX  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6004ENJTL  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 5 V
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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