Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ROHM Semiconductor(罗姆半导体) > R6004KNX Datasheet 文档
R6004KNX
0.81
R6004KNX 数据手册 (14 页)
查看文档
或点击图片查看大图

R6004KNX 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电阻
0.9 Ω
极性
N
功耗
40 W
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
4A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
280pF @25V(Vds)
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
40W (Tc)

R6004KNX 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
1000

R6004KNX 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
14 页 / 2.36 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
6 页 / 0.28 MByte

R6004 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6004ENDTL  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6004ENX  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6004ENJTL  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 5 V
Saint-gobain(圣戈班)
norprene®工业等级管道A-60-G高性能管道带有广泛温度范围的热密封。 Noprene 的极佳的抗弯疲劳性和耐磨损性,使其成为适合与蠕动泵一同使用和用作耐磨套管的理想选择。 应用包括耐磨损套管和电缆安装、肥皂和消毒剂分配、打印墨传输、腐蚀性分配、电镀和蚀刻化学制品、玻璃和窗清洗系统、真空泵。极佳的抗酸和基液体性 卓越的候性,耐磨损和抗弯抗疲劳 低气体渗透性 热密封 抗臭氧和紫外线 ### 专用管道
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z