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R6007ENJTL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

ROHM R6007ENJTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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R6007ENJTL 数据手册 (14 页)

典型应用电路图在14 页

R6007ENJTL 数据手册 (14 页)

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R6007ENJTL 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.57 Ω

极性

N-Channel

功耗

78 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

390pF @25V(Vds)

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

40W (Tc)

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R6007ENJTL 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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R6007ENJTL 符合标准

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