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R6011ENX 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

ROHM R6011ENX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 4 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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R6011ENX 数据手册 (15 页)

典型应用电路图在14 页

R6011ENX 数据手册 (15 页)

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R6011ENX 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.34 Ω

极性

N-Channel

功耗

53 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

11A

上升时间

40 ns

输入电容值(Ciss)

670pF @25V(Vds)

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

40W (Tc)

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R6011ENX 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

工作温度

150℃ (TJ)

最小包装数量

1000

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R6011ENX 符合标准

R6011ENX 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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