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R6015ANX
5.339
R6015ANX 数据手册 (6 页)
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R6015ANX 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
50 W
漏源极电压(Vds)
600 V
输入电容值(Ciss)
1700pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
50 W
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
50W (Tc)

R6015ANX 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not For New Designs
包装方式
Bulk
长度
10.3 mm
宽度
4.8 mm
高度
15.4 mm
工作温度
150℃ (TJ)

R6015ANX 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
6 页 / 0.23 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
15 页 / 5.43 MByte

R6015 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6015ENX  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6015ENJTL  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6015ENZC8  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 5 V
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