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R6020ENX
4.077
R6020ENX 数据手册 (14 页)
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R6020ENX 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.17 Ω
极性
N-Channel
功耗
68 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
20A
上升时间
53 ns
输入电容值(Ciss)
1400pF @25V(Vds)
下降时间
67 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
50W (Tc)

R6020ENX 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
10.3 mm
宽度
4.8 mm
高度
15.4 mm
工作温度
150℃ (TJ)
最小包装数量
1000

R6020ENX 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
14 页 / 2.44 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
13 页 / 1.59 MByte

R6020 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6020ENZ1C9  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6020KNX  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 5 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6020ENJTL  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 5 V
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