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R6024KNX
1.2
R6024KNX 数据手册 (13 页)
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R6024KNX 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.15 Ω
极性
N-Channel
功耗
74 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
24A
上升时间
50 ns
输入电容值(Ciss)
2000pF @25V(Vds)
下降时间
12 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
74W (Tc)

R6024KNX 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
1000

R6024KNX 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
13 页 / 2.38 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
14 页 / 2.38 MByte

R6024 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6024ENX  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6024ENJTL  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6024KNX  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6024ENZC8  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6024ENZ1C9  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6024KNZ1C9  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6024KNJTL  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  R6024KNZC8  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V 新
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