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RB731UT108
0.133
RB731UT108 数据手册 (6 页)
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RB731UT108 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
30.0 mA
电容
2.00 pF
封装
SOT-457-6
针脚数
6 Position
正向电压
0.37 V
正向电流
30 mA
最大正向浪涌电流
200 mA
正向电压(Max)
370 mV
正向电流(Max)
30 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
工作结温
125℃ (Max)

RB731UT108 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.6 mm
高度
1.1 mm
工作温度
125 ℃

RB731UT108 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
6 页 / 0.31 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
7 页 / 1.8 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.13 MByte

RB731 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RB731UT108  小信号肖特基二极管, 三独立式, 40 V, 30 mA, 370 mV, 200 mA, 125 °C
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
肖特基势垒二极管,高达 900mA,ROHM### 二极管和整流器,ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RB731U 肖特基二极管 40V 40mA 370mV/0.37V SOT-163/SC-74/SOT23-6 marking/标记 D3P 低压降
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
小信号肖特基二极管, 三独立式, 40 V, 30 mA, 370 mV, 200 mA, 125 °C
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RB731X 肖特基二极管 40v 30ma 370mV/0.37V SOT-363/UMD6/SC70-6 marking/标记 D3P 低压降
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
肖特基二极管 Schottky barrier diode
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
CJ(长电科技)
Galaxy Semi-Conductor
Leshan Radio(乐山无线电)
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