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RB751V40T1G
0.018
RB751V40T1G 数据手册 (4 页)
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RB751V40T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
30.0 mA
电容
2.50 pF
封装
SOD-323
输出电流
≤30.0 mA
针脚数
2 Position
正向电压
370mV @1mA
极性
Standard
功耗
200 kW
热阻
635℃/W (RθJA)
反向恢复时间
6 ns
最大反向击穿电压
30 V
正向电流
30 mA
最大正向浪涌电流
500 mA
正向电压(Max)
370 mV
正向电流(Max)
30 mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
200 mW

RB751V40T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.7 mm
宽度
1.25 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

RB751V40T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
36 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.02 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.32 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.15 MByte

RB751V40T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
40 V肖特基二极管 40 V SCHOTTKY BARRIER DIODE
Won-Top Electronics
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  RB751V40T1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 30 mA, 370 mV, 500 mA, 150 °C
Leshan Radio(乐山无线电)
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