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REF3033TB-GT3
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REF3033TB-GT3 数据手册 (8 页)
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REF3033TB-GT3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
容差
±0.2 %
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
输出电压
3.3 V
输出电流
10 mA
供电电流
30 µA
输入电压(Max)
6.5 V
输出电压(Min)
3.3 V
输出电流(Max)
10 ma
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
输入电压
2.7V ~ 5.5V

REF3033TB-GT3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)
温度系数
±50 ppm/℃

REF3033TB-GT3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.24 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.21 MByte

REF3033 数据手册

TI(德州仪器)
采用 SOT23-3 封装的 3.3V 输出 50ppm/℃ 漂移 50uA 静态电流的(带隙)电压参考系列
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  REF3033AIDBZR  芯片, 电压基准, 3.3V
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  REF3033AIDBZT  电压基准, 精密, 低功率, 系列 - 固定, REF3033系列, 3.3V, SOT-23-3
TI(德州仪器)
采用 3 引脚 SOT-23 封装的 3.3V、50ppm/°C、50µA 输入串联(带隙)电压基准 3-SOT-23 -40 to 125
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  REF3033AIDBZTG4  电压基准, 精密, 低功率, 系列 - 固定, REF30xx系列, 3.3V, SOT-23-3
TI(德州仪器)
50 PPM / A ° C(最大值) , 50 μA , CMOS电压基准 50 ppm/°C MAX, 50 μA, CMOS VOLTAGE REFERENCE
ON Semiconductor(安森美)
参考电压 LOW VOLTAGE REFERENCE
TI(德州仪器)
采用 SOT23-3(带隙)封装的汽车类 3.3V 输出、50ppm/℃ 漂移、50uA 静态电流的参考电压系列
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