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器件3D模型
¥ 0.57
REF5030AIDR 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
电压基准芯片
封装:
SOIC-8
描述:
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
REF5030AIDR 数据手册 (20 页)
封装尺寸
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REF5030AIDR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
容差
±0.1 %
封装
SOIC-8
输入电压(DC)
3.20V ~ 18.0V
输出电压
3 V
输出电流
10 mA
供电电流
1.2 mA
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
静态电流
800 µA
输入电压(Max)
18 V
输出电压(Max)
3 V
输出电压(Min)
3 V
输出电流(Max)
10 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
精度
0.05 %
输入电压
3.2V ~ 18V
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REF5030AIDR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)
温度系数
±8 ppm/℃
查看数据手册 >
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REF5030AIDR 数据手册
REF5030AIDR
数据手册
TI(德州仪器)
20 页 / 0.59 MByte
REF5030AIDR
产品设计参考手册
TI(德州仪器)
152 页 / 5.85 MByte
REF5030AIDR
其他数据使用手册
TI(德州仪器)
27 页 / 2.06 MByte
REF5030 数据手册
REF5030
数据手册
TI(德州仪器)
低噪声、极低漂移、高精度电压基准
REF5030
数据手册
Burr Brown
REF5030
AIDR
数据手册
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
REF5030
AID
数据手册
TI(德州仪器)
串联电压参考,固定,2.5V 至 3.3V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
REF5030
AIDGKT
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS REF5030AIDGKT 电压基准, 精密, 低噪, 系列 - 固定, REF5030系列, 3V, VSSOP-8
REF5030
AIDGKR
数据手册
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
REF5030
ID
数据手册
TI(德州仪器)
串联电压参考,固定,2.5V 至 3.3V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
REF5030
IDGKR
数据手册
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移精密 Low-Noise, Very Low Drift Precision
REF5030
AQDRQ1
数据手册
TI(德州仪器)
REF5030AQDRQ1 编带
REF5030
IDGKT
数据手册
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移精密 Low-Noise, Very Low Drift Precision
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