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> 电压基准芯片 > TI(德州仪器) > REF5040MDREP Datasheet 文档
器件3D模型
¥ 24.684
REF5040MDREP 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
电压基准芯片
封装:
SOIC-8
描述:
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 LOW-NOISE, VERY LOW DRIFT, PRECISION VOLTAGE REFERENCE
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
REF5040MDREP 数据手册 (19 页)
封装尺寸
在
2 页
13 页
15 页
16 页
典型应用电路图
在
12 页
原理图
在
10 页
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REF5040MDREP 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
容差
±0.05 %
封装
SOIC-8
输出电压
4.096 V
输出电流
10 mA
供电电流
1.25 mA
通道数
1 Channel
静态电流
800 µA
输入电压(Max)
18 V
输出电压(Max)
4.096 V
输出电压(Min)
4.096 V
输出电流(Max)
10 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
输入电压
4.296V ~ 18V
查看数据手册 >
REF5040MDREP 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 125℃ (TA)
温度系数
±5 ppm/℃
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REF5040MDREP 符合标准
REF5040MDREP 海关信息
REF5040MDREP 概述
●
系列 电压基准 IC ±0.05% 8-SOIC
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REF5040MDREP 数据手册
REF5040MDREP
数据手册
TI(德州仪器)
19 页 / 0.59 MByte
REF5040MDREP
产品设计参考手册
TI(德州仪器)
29 页 / 1.63 MByte
REF5040 数据手册
REF5040
数据手册
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低噪声、极低漂移、高精度电压基准
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REF5040
AIDGKT
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS REF5040AIDGKT 电压参考, 高精准, 低噪, 系列 - 固定, REF5040系列, 4.096V, VSSOP-8
REF5040
AIDR
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TI(德州仪器)
4.096V,低噪声,极低漂移,高精度电压基准
REF5040
AIDGKR
数据手册
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
REF5040
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TI(德州仪器)
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4V 至 10V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
REF5040
IDR
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低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
REF5040
IDGKT
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TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS REF5040IDGKT 电压参考, 高精准, 低噪, 系列 - 固定, REF5040系列, 4.096V, VSSOP-8
REF5040
IDGKR
数据手册
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度OLTAGE参考 Low-Noise, Very Low Drift, Precision OLTAGE REFERENCE
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