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Datasheet 搜索 > TVS二极管 > ROHM Semiconductor(罗姆半导体) > RF081M2STR Datasheet 文档
RF081M2STR
器件3D模型
0.04
RF081M2STR 数据手册 (7 页)
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RF081M2STR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
2 Pin
封装
SOD-123
正向电压
950mV @800mA
热阻
20℃/W (RθJL)
反向恢复时间
25 ns
正向电流
1000 mA
正向电压(Max)
950mV @800mA
正向电流(Max)
1000 mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温
150℃ (Max)

RF081M2STR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
0.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

RF081M2STR 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
7 页 / 0.55 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
7 页 / 0.65 MByte

RF081M2 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
超快速恢复二极管 Super Fast Recovery Diode
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
超快速恢复二极管 Super Fast Recovery Diode
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RF081M2STFTR  快速/超快二极管, AEC-Q101, 单, 200 V, 800 mA, 950 mV, 25 ns, 20 A
Ricoh(理光)
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