RFD14N05LSM 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD14N05  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 10 V, 4 V

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD14N05SM9A  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 10 V, 4 V

N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD14N05LSM9A  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 5 V, 2 V

ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05LSM9A, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05L, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装

ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05LSM, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05SM9A, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装