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RFD16N05SM9A
0.477
RFD16N05SM9A 数据手册 (8 页)
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RFD16N05SM9A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
16.0 A
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
47 mΩ
极性
N-Channel
功耗
72 W
阈值电压
4 V
输入电容
900 pF
栅电荷
45.0 nC
漏源极电压(Vds)
50 V
漏源击穿电压
50.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
16.0 mA
上升时间
30 ns
输入电容值(Ciss)
900pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
72 W
下降时间
30 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
72W (Tc)

RFD16N05SM9A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.39 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

RFD16N05SM9A 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 1.63 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
18 页 / 0.94 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.2 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.87 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

RFD16N05SM9 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD16N05SM9A  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 50 V, 47 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFD16N05SM9A, 16 A, Vds=50 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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