RFD16N06LESM9A

￥ 0.644

RFD16N06LESM9A 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD16N06LESM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 47 mohm, 5 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

RFD16N06LESM9A 数据手册 (7 页)

RFD16N06LESM9A 数据手册 (7 页)

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RFD16N06LESM9A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

16.0 A

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

47 mΩ

极性

N-Channel

功耗

90 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

连续漏极电流(Ids)

16.0 A

上升时间

60 ns

输入电容值(Ciss)

1350pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

90 W

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

90W (Tc)

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RFD16N06LESM9A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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RFD16N06LESM9A 符合标准

RFD16N06LESM9A 海关信息

RFD16N06LESM9A 数据手册

RFD16N06LESM9A 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.31 MByte

RFD16N06LESM9A 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

18 页 / 0.94 MByte

RFD16N06LESM9A 产品修订记录

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.87 MByte

RFD16N06LESM9A 其他参考文件

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.14 MByte

RFD16N06LESM9 数据手册

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Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD16N06LESM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 47 mohm, 5 V, 3 V

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ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD16N06LESM9A, 16 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

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