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RHP020N06T100 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-89-3

描述:

4V驱动N沟道MOSFET 4V Drive Nch MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RHP020N06T100 数据手册 (5 页)

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RHP020N06T100 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

2.00 A

封装

SOT-89-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.34 Ω

极性

N-Channel

功耗

2 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

连续漏极电流(Ids)

200 mA

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

140pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

500 mW

下降时间

18 ns

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

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RHP020N06T100 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

宽度

2.5 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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RHP020N06T100 符合标准

RHP020N06T100 概述

RHP020N06T100 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 1.01 MByte

RHP020N06T100 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

3 页 / 0.05 MByte

RHP020N06T100 其他参考文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.16 MByte

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