￥ 0.027

RHU002N06T106 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-323

描述:

N 沟道 200 mW 60 V 2.4 Ohm 表面贴装小信号 MosFet - UMT-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

RHU002N06T106 数据手册 (7 页)

典型应用电路图在6 页

RHU002N06T106 数据手册 (7 页)

查看文档

或点击图片查看大图

RHU002N06T106 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

200 mA

封装

SOT-323

针脚数

3 Position

漏源极电阻

2.4 Ω

极性

N-Channel

功耗

200 mW

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

连续漏极电流(Ids)

200 mA

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

15pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

200 mW

下降时间

6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

200mW (Ta)

查看数据手册 >

RHU002N06T106 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

RHU002N06T106 符合标准

RHU002N06T106 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

7 页 / 1.38 MByte

RHU002N06T106 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

24 页 / 0.28 MByte

RHU002N06 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

RHU002N06 N沟道MOSFET 60v 2A SOT-89 marking/标记 KP RF放大器/CATV调谐器/低噪声/高功率

RHU002N06T106 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

N 沟道 200 mW 60 V 2.4 Ohm 表面贴装小信号 MosFet - UMT-3

RHU002N06FRAT106 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM RHU002N06FRAT106 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.5 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号