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RJU002N06T106 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-323-3

描述:

N-沟道 200 mW 60 V 3.1 Ohm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - UMT-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RJU002N06T106 数据手册 (5 页)

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RJU002N06T106 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

200 mA

封装

SOT-323-3

漏源极电阻

2.20 Ω

极性

N-Channel

功耗

200 mW

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

连续漏极电流(Ids)

200 mA

上升时间

7 ns

输入电容值(Ciss)

18pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

200 mW

下降时间

7 ns

耗散功率(Max)

200mW (Ta)

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RJU002N06T106 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

0.8 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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RJU002N06T106 符合标准

RJU002N06T106 海关信息

RJU002N06T106 概述

RJU002N06T106 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 0.14 MByte

RJU002N06T106 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

6 页 / 0.23 MByte

RJU002N06T106 其他参考文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.14 MByte

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