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RJU003N03T106 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

UMT-3

描述:

ROHM RJU003N03T106 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 30 V, 1.1 ohm, 4.5 V, 1.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

RJU003N03T106 数据手册 (5 页)

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RJU003N03T106 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

30.0 V

额定电流

300 mA

封装

UMT-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.1 Ω

极性

N-Channel

功耗

200 mW

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

连续漏极电流(Ids)

300 mA

上升时间

4 ns

输入电容值(Ciss)

24pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

200 mW

下降时间

32 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200mW (Ta)

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RJU003N03T106 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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RJU003N03T106 符合标准

RJU003N03T106 海关信息

RJU003N03T106 概述

RJU003N03T106 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 0.21 MByte

RJU003N03T106 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

10 页 / 0.16 MByte

RJU003N03T106 其他参考文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.14 MByte

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