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Datasheet 搜索 > 电阻 > VISHAY(威世) > RN55D1001FRE6 Datasheet 文档
RN55D1001FRE6
0.197

RN55D1001FRE6 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Axial
引脚数
2 Pin
额定电压(DC)
200 V
封装
Axial Leaded
额定功率
125 mW
电阻
1 KΩ
阻值偏差
±1 %
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
额定电压
200 V

RN55D1001FRE6 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
7.37 mm
宽度
2.29 mm
脚长度
38.1 mm
温度系数
±100 ppm/℃

RN55D1001FRE6 数据手册

VISHAY(威世)
5 页 / 0.14 MByte
VISHAY(威世)
5 页 / 0.14 MByte

RN55D1001 数据手册

VISHAY(威世)
金属膜电阻, 1KΩ, 125 mW
VISHAY(威世)
RN 系列 0.125 - 0.5WRN 系列 Vishay 金属膜电阻器。 额定功率 0.125W 至 1W,具有高可靠性和最高品质。提供各种电阻 所有型号均为轴向型### 轴向 0.1W - 2W极高质量的轴向金属膜电阻器。 极低的电流噪声级别,带有低温度系数和低容差。 所有型号均为小尺寸并有保护涂层,高频特性极佳
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  RN55D1001FB14  金属膜电阻, 1KΩ, 125mW, 1%
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  RN55D1001FRE6  金属膜电阻, 1KΩ, 125 mW
Vishay Dale(威世达勒)
VISHAY(威世)
RN 系列 1 kΩ ±1% 0.125 W ±100 ppm/°C 轴向 金属 薄膜 电阻
International Resistive
INTERNATIONAL RESISTIVE  RN55D1001F  金属釉面电阻, 1KΩ, 125mW, 1%
TT Electronics/IRC
Vishay Semiconductor(威世)
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