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RNC55H1002BS
2.919
RNC55H1002BS 数据手册 (4 页)
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RNC55H1002BS 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
Axial Leaded
额定功率
125 mW
电阻
10 kΩ
阻值偏差
±0.1 %
额定电压
200 V

RNC55H1002BS 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
温度系数
±50 ppm/℃

RNC55H1002BS 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
4 页 / 0.14 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
4 页 / 0.14 MByte

RNC55H1002 数据手册

VISHAY(威世)
VISHAY(威世)
金属膜电阻 10kΩ ±0.1% 125mW
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  RNC55H1002BS  金属膜电阻, 10KΩ, 125mW, 0.1%
VISHAY(威世)
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Dale(威世达勒)
VISHAY(威世)
金属膜电阻, 10KΩ, 125MW, 0.1%
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  RNC55H1002FS  金属膜电阻, 10KΩ, 125mW, 0.1%
VISHAY(威世)
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