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RNC55H2002BSB14
1.22
RNC55H2002BSB14 数据手册 (4 页)
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RNC55H2002BSB14 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
Axial Leaded
额定功率
0.125 W
电阻
20000 Ω
阻值偏差
±0.1 %
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
额定电压
200 V

RNC55H2002BSB14 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Bulk
脚长度
38.1 mm
温度系数
±50 ppm/℃

RNC55H2002BSB14 数据手册

VISHAY(威世)
4 页 / 0.14 MByte

RNC55H2002 数据手册

VISHAY(威世)
电阻, 20KΩ, 125mW, ±1%
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  RNC55H2002BSB14  金属膜电阻, 20KΩ, 125mW, 0.1%
Vishay Dale(威世达勒)
VISHAY(威世)
金属膜电阻, 20KΩ, 125mW, 0.1%
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  RNC55H2002FSB14  电阻, 20KΩ, 125mW, ±1%
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Dale(威世达勒)
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