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RQ1C075UNTR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TSMT-8

描述:

N沟道,20V,±7.5A,11mΩ@4.5V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

RQ1C075UNTR 数据手册 (12 页)

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RQ1C075UNTR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

TSMT-8

功耗

1.5 W

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

50 ns

输入电容值(Ciss)

1400pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

700 mW

下降时间

85 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

700mW (Ta)

RQ1C075UNTR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

RQ1C075UNTR 符合标准

RQ1C075UNTR 数据手册

RQ1C075UNTR 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

12 页 / 2.43 MByte

RQ1C075 数据手册

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

N沟道,20V,±7.5A,11mΩ@4.5V

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