RQ1E070RP 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | ±20V 最大漏极电流Id Drain Current | -7A 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State | ID=3.5A, VGS=4.0V RDS=19~27mΩ 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | -1~-2.5v 耗散功率Pd Power dissipation | 1.5w 描述与应用 Description & Applications | 1)较低的导通电阻。 　　2)高功率包。 　　3)4 v驱动。