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RQ1E070RPFRATR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TSMT-8

描述:

晶体管, MOSFET, P沟道, -7 A, -30 V, 0.012 ohm, -10 V, -2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RQ1E070RPFRATR 数据手册 (13 页)

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RQ1E070RPFRATR 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

TSMT-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.012 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.5 W

工作温度(Max)

150 ℃

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RQ1E070RPFRATR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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