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Datasheet 搜索 > MOS管 > ROHM Semiconductor(罗姆半导体) > RRH140P03TB1 Datasheet 文档
RRH140P03TB1
器件3D模型
1.609
RRH140P03TB1 数据手册 (13 页)
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RRH140P03TB1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOP-8
漏源极电阻
7.3 mΩ
功耗
2 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
输入电容值(Ciss)
8000pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
650mW (Ta)

RRH140P03TB1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

RRH140P03TB1 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
13 页 / 0.54 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
12 页 / 0.61 MByte

RRH140P03 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
P沟道 30V 14A
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, P沟道, -14 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -2.5 V
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