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RRL035P03TR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-363-6

描述:

晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 0.036 ohm, -10 V, -2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RRL035P03TR 数据手册 (12 页)

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RRL035P03TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-363-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

50 mΩ

极性

P-Channel

功耗

1 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

3.5A

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

800pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

320 mW

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

320mW (Ta)

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RRL035P03TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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RRL035P03TR 符合标准

RRL035P03TR 概述

RRL035P03TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

12 页 / 0.6 MByte

RRL035P03TR 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

12 页 / 0.6 MByte

RRL035P03TR 产品封装文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

3 页 / 0.07 MByte

RRL035P03TR 产品手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

38 页 / 10.45 MByte

RRL035P03 数据手册

RRL035P03TR 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 0.036 ohm, -10 V, -2.5 V

RRL035P03FRATR 数据手册

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