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RSH070P05TB1 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOP-8

描述:

4V驱动P沟道MOSFET 4V Drive Pch MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RSH070P05TB1 数据手册 (5 页)

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RSH070P05TB1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOP-8

极性

P-CH

功耗

2W (Ta)

漏源极电压(Vds)

45 V

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

4100pF @10V(Vds)

下降时间

50 ns

耗散功率(Max)

2W (Ta)

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RSH070P05TB1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not For New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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RSH070P05TB1 符合标准

RSH070P05TB1 概述

RSH070P05TB1 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

5 页 / 0.19 MByte

RSH070P05TB1 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

30 页 / 0.32 MByte

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晶体管, MOSFET, P沟道, -7 A, -45 V, 0.019 ohm, -10 V, -2.5 V

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