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Datasheet 搜索 > ROHM Semiconductor(罗姆半导体) > RSQ015P10 Datasheet 文档
RSQ015P10
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RSQ015P10 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-457
漏源极电阻
0.4 Ω
极性
P
漏源极电压(Vds)
-100V
连续漏极电流(Ids)
-1.5A

RSQ015P10 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
3000

RSQ015P10 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
7 页 / 0.86 MByte

RSQ015 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
场效应管(MOSFET) RSQ015N06TR SOT-23-6
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -100 V, 0.35 ohm, -10 V, -2.5 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4V驱动N沟道MOSFET 4V Drive Nch MOSFET
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4V驱动P沟道MOSFET 4V Drive Pch MOSFET
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